Международная конференция "Микро- и наноэлектроника - 2016" (ICMNE-2016) с расширенной сессией "Квантовая информатика" состоится в подмосковном д/о “Ершово”,
г. Звенигород, Московская область, Россия с 3 по 7 октября 2016 г.

   Эта конференция продолжает ряд регулярных Всероссийских ("МНЕ-1999", "МНЕ-2001", "КИ-2002") и международных ("ICMNE-2003", "QI-2004", "ICMNE-2005", "QI-2005", "ICMNE-2007", "QI-2007", "ICMNE-2009", "QI-2009", "ICMNE-2012", "QI-2012", "ICMNE-2014", "QI-2014") конференций.
   Общая информация
 
   Важные даты
 
   Комитеты
 
   Научная программа
 
   Регистрация
 
   Место проведения
 
   Информационное сообщение
 
   Скачать
 
   Выставка
 
   Контактная информация
 
   Информация о ICMNE-2014
 
   Информация о ICMNE-2012
 
   Информация о ICMNE-2009
 
   Информация о ICMNE-2007
 
   Информация о ICMNE-2005
 
   Информация о ICMNE-2003
 
















Информационное сообщение

Международная конференция "Микро- и наноэлектроника – 2016" (ICMNE-2016), включающая расширенную сессию "Квантовая информатика" (QI-2016), будет проводиться 3-7 октября 2016 в д/о "Ершово", Звенигород, Московская область, Россия. Она продолжает серию Всероссийских конференций "МНЕ-1999", "МНЕ-2001", "КИ-2002" и международных конференций "ICMNE-2003", "QI-2004", "ICMNE-2005", "QI-2005", "ICMNE-2007", "QI-2007", "ICMNE-2009", "QI-2009", "ICMNE-2012", "QI-2012", "ICMNE-2014" и "QI-2014".

   Конференция ICMNE проводится один раз в два года и охватывает большинство областей физики микро- и наноразмерных приборов, а также микро- и наноэлектронных технологий. ICMNE-2016 будет сконцентрирована на освещении последних достижений в этой сфере. На конференции будет работать выставка, посвященная технологическому и диагностическому оборудованию для микро- и наноэлектронных применений.

Рабочий язык конференции ICMNE-2016 - английский.

Тематика:

Материалы и пленки для микро- и наноэлектронных структур:

  • Si, SOI, DOI, SiGe, A3B5, A2B6
  • High-k диэлектрики, low-k диэлектрики
  • Металлы для затворов, контактов и систем металлизации наноразмерных приборов
  • Магнитные материалы, наномагнетики
  • 1D и 2D материалы
  • Материалы для оптоэлектроники, солнечной энергетики, метаматериалы

Физика микро- и наноразмерных приборов:

  • Тенденции масштабирования: More Moore, beyond CMOS, and more than Moore trends
  • Нанотранзисторы: CMOS FET, TFET, SET, молекулярные и другие
  • Интегральные устройства памяти, DRAM, ReRAM, FeRAM
  • Магнитные микро- и наноструктуры, приборы спинтроники
  • Сверхпроводящие микро- и наноприборы и устройства
  • Приборы оптоэлектроники, фотоники
  • Микро- и наноэлектромеханические системы (MEMS, NEMS)
  • Моделирование

Технологии и перспективное технологическое оборудование для производства приборов микро- и наноэлектроники:

  • Суб-65 нм литография: DUV, иммерсионная, EUV, электронная и ионная литография, наноимпринт
  • Front-End of Line (FEOL) процессы для технологии УБИС
  • Back-End of Line (BEOL) процессы для технологии УБИС
  • Технологии получения 2D материалов (графен, MoS2, WS2 и другие)
  • Технологии создания МЭМС и НЭМС
  • Технологии создания сверхпроводящих приборов

Метрология:

  • In situ методы мониторинга технологических процессов
  • Методы контроля, диагностики и характеризации микро- и наноструктур

Квантовая информатика:

  • Квантовые компьютеры: теория и эксперимент
  • Квантовые измерения
  • Квантовые алгоритмы
  • Квантовая связь

   Оргкомитет ICMNE-2016 приветствует доклады, присланные от академического сообщества, университетов, отраслевой науки. Программа конференции будет включать в себя и приглашенные научные доклады. Программный комитет определит, в каком виде будет представлен научный доклад (устный или постер), однако пожелания авторов, конечно, будут учтены.

   Одностраничные тезисы докладов должны содержать оригинальные научные результаты и быть представлены на английском языке. Для представления устных докладов будет предоставлено оборудование для компьютерных презентаций (мультимедийный проектор, компьютер; презентация должна быть выполнена в Microsoft PowerPoint). Во избежание проблем с несовместимостью различных версий предпочтительно использовать презентацию в формате PDF. Иллюстративный материал и сам доклад должны быть представлены на английском языке.

   Размер стенда для стендового доклада: 120 см х 120 см. Язык представления постеров - английский.






Contact us To home page To Russian To English